DSpace Науковий репозитарій - ARRChNU (Academic Research Repository at the ChNU)
 

ARRChNU (Academic Research Repository at the ChNU). >
Хімія >
Статті >

Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://arr.chnu.edu.ua/handle/123456789/33

Назва: THE NATURE OF POINT DEFECTS in CdTe
Автори: Fochuk, Petro
Ключові слова: CdTe point defects modeling
Дата публікації: чер-2006
Бібліографічний опис: Fochuk P., Grill R., Panchuk O. The nature of point defects in CdTe // The 2005 U.S. Workshop on the Physics and Chemistry of II-VI Materials. (September 20-22, 2005, Boston, USA). Extended Abstracts. -2005. -p.135-138.
Короткий огляд (реферат): High temperature Hall effect measurements in situ in CdTe single crystals grown by different techniques at 500-1200 K under well-defined Cd and Te vapor pressure were made. It was established that native point defects (PD) Cd and V are the dominant at T>770 K in Cd-rich CdTe. Their formation enthalpies were determined (HV =1.3 eV; HCd =2.5 eV). It was shown that V dominate at low temperatures and Cd begin to prevail at T>930 K. In Te-saturated CdTe at heating up to ~800 K the hole density was Te vapor pressure independent. At higher temperatures (HT) the conductivity becomes of intrinsic type, turning then into n-type one. The results were explained in the framework of Kröger’s quasichemical formalism assuming the presence of an electrically active foreign point defect – the oxygen acceptor. The PD structure modelling demonstrated satisfactory agreement with experimental results both for temperature and component vapour pressure dependencies.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://arr.chnu.edu.ua/handle/123456789/33
Розташовується у зібраннях:Статті

Файли цього матеріалу:

Файл Опис РозмірФормат
JEM2006Fochuk.pdf304,95 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити

Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.

 

Valid XHTML 1.0! Програмне забезпечення DSpace Авторські права © 2002-2005 Массачусетський технологічний інститут та Х’юлет Пакард - Зворотний зв’язок